Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence: Modélisation pour les transistors à base de matériaux III-V (OMN.UNIV.EUROP.) - Softcover

Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.

Ancien élève du Magistère de Physique Fondamentale d'Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l'Université Paris-Sud, spécialité Micro-nanotechnologies. Il obtient son doctorat de physique sur la modélisation des transistors MOSFET à base de matériaux III-V. Il est enseignant de physique à Univ. Paris Sud